24. juni · elektronikfokus.dk
CEA-Leti præsenterer fremskridt inden for 3D-integration af RF-systemer
De tre foredragsholdere er (fra venstre) Daphnée Bosch, José Lugo og Alexis Divay
Indlægget med titlen “Hybrid Integration of 3D-RF Interconnects on AlGaN/GaN/Si HEMT RF Transistor featuring 2.2W/mm Psat & 41% PAE @28GHz using a Robust and Cost-Effective Chiplet Heterogeneous Bonding Technique” drejer sig om stakning af en AlGaN/GaN/Si HEMT transistor på co-planare waveguide (CPW) linjer fabrikeret på 200 mm trap-rigt substrat.
Læs artikel
